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功率MOSFET場效應(yīng)管的特點(diǎn)
功率MOS場效應(yīng)晶體管全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，簡稱功率MOSFET，它是一種電壓控制器件。根據(jù)載流子
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Vishay推出新款TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET 具超小尺寸、極低導(dǎo)通電阻
器件采用2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封裝21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率
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功率MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源注意的問題
功率MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源時(shí)應(yīng)注意以下幾個(gè)問題。(1)柵極電路的阻抗非常高，易翼靜電損壞。(2)直流輸入阻抗高，但輸入容量大，高頻時(shí)輸入阻抗低，因此，需要降低驅(qū)動電路阻
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電壓高（120V）、轉(zhuǎn)換熟讀快（120V丨us）的功率MOSFET放大器
電壓高（120V）、轉(zhuǎn)換熟讀快（120V丨us）的功率MOSFET放大器
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器
高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器
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東芝量產(chǎn)為基站和服務(wù)器推出的30V電壓功率MOSFET
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation) 專用于基站和服務(wù)器的通用DC-DC轉(zhuǎn)換器的30V電壓功率MOSFET系列產(chǎn)品采用了最新的第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了最高級別的[注1]低導(dǎo)通電阻和高速轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)品已于6月底投入量產(chǎn)
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東芝擴(kuò)大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)最近為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品。這些產(chǎn)品使用最新的第八代低電壓溝槽結(jié)構(gòu)，并實(shí)現(xiàn)了頂尖低導(dǎo)通電阻和高速交換性能。主要功能1
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Vishay推出SiSS27DN器件擴(kuò)充Gen III P溝道功率MOSFET
首款40V P溝道Gen III器件，首款PowerPAK 1212-8S封裝的30V MOSFET21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和
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東芝擴(kuò)大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容
推出擁有頂尖[1]低導(dǎo)通電阻性能和高速交換性能的60V產(chǎn)品東芝公司(Toshiba Corporation,)今天宣布為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品
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東芝擴(kuò)大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)宣布為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品。這些產(chǎn)品使用最新的第八代低電壓溝槽結(jié)構(gòu)，并實(shí)現(xiàn)了頂尖[1]低導(dǎo)通電阻和高速交換性能。即日開始
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東芝為基站和服務(wù)器推出30V電壓功率MOSFET
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation) 日前宣布為專用于基站和服務(wù)器的通用DC-DC轉(zhuǎn)換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產(chǎn)品采用了最新的第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了最高級別的[注1]低導(dǎo)通電阻和高速轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)
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Vishay大幅擴(kuò)充 E系列650V N溝道功率MOSFET家族
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30mΩ、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣
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繼2012年表現(xiàn)黯淡之后,中國功率MOSFET市場將恢復(fù)生機(jī)
21ic訊 在綠色能源和節(jié)能計(jì)劃的帶動下，加之出口回升，預(yù)計(jì)今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經(jīng)濟(jì)體的形勢好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。據(jù)I
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繼2012年表現(xiàn)黯淡之后 中國功率MOSFET市場將恢復(fù)生機(jī)
在綠色能源和節(jié)能計(jì)劃的帶動下，加之出口回升，預(yù)計(jì)今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經(jīng)濟(jì)體的形勢好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。據(jù)IHS公司的
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恩智浦發(fā)布采用LFPAK56封裝的汽車功率MOSFET
業(yè)界最全符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的Power-SO8 MOSFET產(chǎn)品組合，可用于眾多汽車應(yīng)用中國上海，2013年3月8日訊——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼：
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東芝推出100V低導(dǎo)通電阻N溝道功率MOSFET
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)已推出一款100V的低導(dǎo)通電阻、低漏電型功率MOSFET。該產(chǎn)品采用最新的溝道MOS工藝打造，成為汽車專用系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK55S10N1”的導(dǎo)通電阻較低，搭載以最
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IR 推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET 有助于提升工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)效率
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，這些工業(yè)應(yīng)用包括11
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Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1mm x 1m
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Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6
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Vishay推出采用PowerPAK SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET®應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是業(yè)內(nèi)首次采用這種小尺
