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意法半導(dǎo)體（ST）新功率MOSFET實(shí)現(xiàn)近乎完美的開(kāi)關(guān)性能
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)MDmesh M2系列的N-溝道功率MOSFETs再增添新成員，新系列產(chǎn)品能夠?yàn)榉?wù)器、筆記本電腦、電信設(shè)備及消費(fèi)電子產(chǎn)品電源提供業(yè)內(nèi)最高能效的電源解決方案，在低負(fù)載條件下的節(jié)能效果尤為顯著，讓設(shè)計(jì)人員能夠開(kāi)發(fā)更輕、更小的開(kāi)關(guān)式電源，同時(shí)輕松達(dá)到日益嚴(yán)格的能效目標(biāo)要求。
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全新英飛凌功率MOSFET系列使電動(dòng)工具更緊湊耐用
DIY工具，比如無(wú)線電鉆和電鋸必須方便使用且經(jīng)久耐用。因此，其所用的電子元件必須緊湊、堅(jiān)固。英飛凌科技股份公司擴(kuò)展StrongIRFET Power MOSFET產(chǎn)品系列，推出同時(shí)滿足緊
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奔馳首款插電混動(dòng)SUV動(dòng)力總成解讀
據(jù)外國(guó)媒體報(bào)道 - 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞薩電子)正式宣布：推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在內(nèi)的7款功率MOSF
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東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列
21ic電源網(wǎng)訊 東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統(tǒng)的U-MOS VI-
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東芝推出汽車(chē)用單通道高邊N溝道功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
東芝公司旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)柵極驅(qū)動(dòng)器“TPD7104F”。新產(chǎn)品是一個(gè)適用于電荷泵的
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IR推出兩款40V汽車(chē)應(yīng)用COOLiRFET功率MOSFET 產(chǎn)品
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布推出兩款40V車(chē)用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品——AUIRFN8459和AUIRFN8458，為需要小體積、
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基于功率MOSFET的鋰電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)
鉛酸電池具有安全、便宜、易維護(hù)的特點(diǎn)，因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動(dòng)自行車(chē)。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少，隨著世界各國(guó)對(duì)環(huán)保要求越來(lái)越高，鉛酸電池的使
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Diodes推出世界最小60V功率MOSFET 提升功率密度
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出導(dǎo)通電阻小于100mΩ的全球最小60V NMOS ─ DMN6070SFCL。新器件的占位面積為1.6mm x 1.6mm，高度則是一般的0.5mm，并采用了DF
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英飛凌與飛兆半導(dǎo)體達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議
【導(dǎo)讀】英飛凌科技股份公司與飛兆半導(dǎo)體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 （Power33）封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。 2010年4月26日，德國(guó)Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司與飛
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數(shù)據(jù)處理、消費(fèi)電子需求旺盛 功率MOSFET供應(yīng)緊張將持續(xù)到明年Q1
【導(dǎo)讀】據(jù)iSuppli公司，由于2010年銷(xiāo)售增長(zhǎng)50%以上，而且產(chǎn)量有限，英飛凌、意法半導(dǎo)體和飛兆半導(dǎo)體等主要供應(yīng)商的某些功率MOSFET對(duì)中國(guó)市場(chǎng)實(shí)行配給，而且交貨期拉長(zhǎng)。 據(jù)iSuppli分析，2010年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)
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飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議
【導(dǎo)讀】飛兆半導(dǎo)體公司宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。飛兆半導(dǎo)體PowerTrench®非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET模塊是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的先進(jìn)MOS
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安森美半導(dǎo)體推出能降低損耗的低壓功率MOSFET新系列
25 V器件利用設(shè)計(jì)、封裝及材料技術(shù)以提供MOSFET能效基準(zhǔn)，用于服務(wù)器及電信交換機(jī)應(yīng)用安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(
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Vishay再度推出新款TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V
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Vishay推出最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET
Vishay 宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有20 V(12V VGS和
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Vishay新款TrenchFET功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄
21ic 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效
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Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄
器件在4.5V和2.5V下的RDS(ON)低至34mΩ和45mΩ，占位面積2mm x 2mm，采用PowerPAK® SC-70封裝21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小
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意法半導(dǎo)體將兩項(xiàng)新的封裝技術(shù)應(yīng)用到三個(gè)先進(jìn)的高壓功率MOSFET系列產(chǎn)品
21ic訊 意法半導(dǎo)體將兩項(xiàng)新的封裝技術(shù)應(yīng)用到三個(gè)先進(jìn)的高壓功率MOSFET系列產(chǎn)品，讓充電器、太陽(yáng)能微逆變器和計(jì)算機(jī)電源等注重節(jié)能的設(shè)備變得更緊湊、更穩(wěn)健、更可靠。意法半
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德州儀器推出NexFET™ N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，德州儀器 (TI) 推出其N(xiāo)exFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，
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功率器件供應(yīng)趨緊 各廠商全速擴(kuò)充產(chǎn)能
自新型功率MOSFET、IGBT器件問(wèn)世以來(lái)，借助對(duì)新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)的研究，通過(guò)緩解MOSFET、IGBT類(lèi)器件在關(guān)態(tài)擊穿與開(kāi)態(tài)導(dǎo)通之間的矛盾，使得這類(lèi)產(chǎn)品能夠有效地滿足實(shí)際工程對(duì)高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要求。伴隨
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射極跟隨器時(shí)的功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)
功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)當(dāng)然色可使明射極跟隨器。最近，制作了很多使用功率MOSFET的高速開(kāi)關(guān)電源。觀察開(kāi)關(guān)電源用控制IC的數(shù)據(jù)表，就會(huì)發(fā)現(xiàn)作為功率MOS的常見(jiàn)驅(qū)動(dòng)的設(shè)備。代表性的
