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基礎(chǔ)知識(shí)：連續(xù)模式PFC功率MOSFET電流有效值、平均值計(jì)算
中大功率的ACDC電源都會(huì)采用有源功率因數(shù)校正PFC電路來(lái)提高其功率因數(shù)，減少對(duì)電網(wǎng)的干擾。在PFC電路中，常用的結(jié)構(gòu)是BOOST電路，功率MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，將輸入的電流斬波為和輸入正弦波電壓同相位的、具有正弦波包絡(luò)線的開關(guān)電流波形，從而提高輸入的功
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為什么超結(jié)高壓功率MOSFET輸出電容的非線性特性更嚴(yán)重？
功率MOSFET的輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場(chǎng)的電荷平衡技術(shù)，如圖1所示。相對(duì)于傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)，超結(jié)結(jié)構(gòu)將P型體區(qū)下沉，這樣在其內(nèi)部形成P柱，和N區(qū)非常寬的接觸面產(chǎn)生寬的耗盡層，
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超結(jié)高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)參數(shù)對(duì)開關(guān)特性的影響
劉松 劉瞻 艾結(jié)華 曹雪 張龍 ? 新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過(guò)程中溝道具有提前關(guān)斷的特性，因此，它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動(dòng)電阻的控制，但是，并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET都具有這樣的特性，和它們內(nèi)部結(jié)構(gòu)、單元尺寸以及電壓額
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功率MOSFET管Rds負(fù)溫度系數(shù)對(duì)負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)影響
摘要：本文論述了功率MOSFET管導(dǎo)通電阻的正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)的雙重特性以及相對(duì)應(yīng)的VGS的轉(zhuǎn)折電壓，功率MOSFET管在開通和關(guān)斷時(shí)要跨越這兩個(gè)區(qū)域的工作過(guò)程。說(shuō)明了負(fù)載開關(guān)電路通過(guò)延長(zhǎng)米勒平臺(tái)的時(shí)間來(lái)限制輸入浪涌電流的工作特點(diǎn)，分析了由于米勒平臺(tái)
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理解MOSFET時(shí)間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)
摘要：本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中靜態(tài)輸出電容Coss、時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)的具體定義以及測(cè)量的方法，特別說(shuō)明了在實(shí)際的不同應(yīng)用中，采用不同的輸出電容的原因。諧振變換器必須采用時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)來(lái)計(jì)算死區(qū)時(shí)間
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功率MOSFET安全工作區(qū)，真的安全嗎？
摘要：本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中安全工作區(qū)每條曲線的含義，詳細(xì)說(shuō)明最大的脈沖漏極電流的定義。分析了基于環(huán)境溫度、最大允許結(jié)溫和功耗計(jì)算的安全工作區(qū)不能作為實(shí)際應(yīng)用中MOSFET是否安全的標(biāo)準(zhǔn)原因。特別說(shuō)明了功率MOSFET完全工作在線性區(qū)或較長(zhǎng)的時(shí)間
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超結(jié)高壓功率MOSFET的零電壓ZVS關(guān)斷特性
1、功率MOSFET常規(guī)的開關(guān)特性 功率MOSFET在開通的過(guò)程中，當(dāng)VGS的驅(qū)動(dòng)電壓從VTH上升到米勒平臺(tái)VGP時(shí)間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流，VGS和ID保持由跨導(dǎo)GFS所限制的傳輸特性曲線的關(guān)系，而VDS的電壓保持不變，這一個(gè)時(shí)間區(qū)域稱為di/dt，主要由
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基礎(chǔ)知識(shí)：功率MOSFET輸出電容為何會(huì)隨著外加電壓增加而降低？
功率MOSFET的輸出電容是非常重要的一個(gè)參數(shù)，讀過(guò)功率MOSFET數(shù)據(jù)表的工程師應(yīng)該注意到：輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，那么為什么會(huì)有這樣的特性？ ? 眾所周知，當(dāng)電容二端的電壓增加時(shí)，就會(huì)形成對(duì)電容的充電電流，電容二
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周末隨想：PFC中功率MOSFET常見的一種失效形式
TV、戶外LED照明等功率比較大的電源系統(tǒng)中，通常輸入端使用PFC功率因素校正電路。系統(tǒng)反復(fù)起動(dòng)的過(guò)程中，如系統(tǒng)動(dòng)態(tài)老化Burn In測(cè)試、輸入打火測(cè)試，由于PFC控制芯片的供電VCC電源建立過(guò)程比較慢，特別是使用PFC的電感繞組給PFC控制芯片供電的情況，會(huì)導(dǎo)致功
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功率MOSFET關(guān)斷dV/dT的區(qū)別，你知道嗎？
你知道什么是功率MOSFET關(guān)斷dV/dT?中、高功率的電源電路經(jīng)常使用有源功率因素校正PFC電路，提高電路的功率因素，減小諧波。PFC的高壓功率MOSFET的開通和關(guān)斷的狀態(tài)，不但影響系統(tǒng)和效率，而且影響系統(tǒng)的EMI，和EMI相關(guān)的一個(gè)最重要的參數(shù)就是MOSFET開通和關(guān)斷dV/dt。
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“器件大師”的經(jīng)驗(yàn)！MOSFET器件選型的3大法則
俗話說(shuō)“人無(wú)遠(yuǎn)慮必有近憂”，對(duì)于電子設(shè)計(jì)工程師，在項(xiàng)目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項(xiàng)目的成功。 功率MOSFET恐怕是工程師們最常用的器件之一了，但你知道嗎？關(guān)于MOSFET的器件選型要考慮方方面面的因素
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穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
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從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用
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東芝車規(guī)級(jí)40V N溝道功率MOSFET TPHR7904PB
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)已推出兩款采用小型低電阻SOP Advance (WF)封裝的新MOSFET產(chǎn)品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”，這兩款產(chǎn)品是汽車用40V N溝道功率MOSFET系列的最新產(chǎn)品。批量生產(chǎn)即日啟動(dòng)。
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Vishay公布2017年新“Super 12”明星產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公布2017年的“Super 12”明星產(chǎn)品。每一年，Vishay都會(huì)精選出12個(gè)采用新技術(shù)或改進(jìn)技術(shù)，能夠顯著提高終端產(chǎn)品和系統(tǒng)
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Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并減小封裝電感
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出3顆采用小尺寸PowerPAK® SO-8L封裝的N溝道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E，擴(kuò)充其600V和6
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ST推出新款功率MOSFET，實(shí)現(xiàn)更小、更環(huán)保的汽車電源
21ic電源網(wǎng)訊 意法半導(dǎo)體(ST)針對(duì)汽車市場(chǎng)推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q101汽車測(cè)試認(rèn)證，采用意法半導(dǎo)體最先進(jìn)、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管的MDmeshTM DM2超
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ST推出世界首款1500V超結(jié)功率MOSFET 實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應(yīng)用
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)的新系列功率MOSFET讓電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化，同時(shí)提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y(jié)技術(shù)優(yōu)點(diǎn)與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設(shè)計(jì)中。
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東芝推出汽車N通道功率MOSFET，60V，40A產(chǎn)品：TK40S06N1L
東芝已推出了一款車用60V N通道功率MOSFET產(chǎn)品：TK40S06N1L。通過(guò)安裝由U-MOSVIII-H系列工藝所開發(fā)的采用了低電阻DPAK+封裝的MOSFET芯片，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先*1的低導(dǎo)通電阻特性。它采用的結(jié)構(gòu)具有低導(dǎo)通電阻，從而
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意法半導(dǎo)體（ST）的先進(jìn)60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETs STripFET F7系列將新增60V的產(chǎn)品線，可協(xié)助電信、服務(wù)器和臺(tái)式PC機(jī)的電源以及工業(yè)電源和太陽(yáng)能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉(zhuǎn)換器達(dá)到嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，最大限度提升電源功率密度。
